1N966B/TR
- ПроизводительMicrochip / Microsemit
Технические характеристики
- Vz - напряжение туннельного пробоя p-n-перехода 16 V
- Вид монтажа Through Hole
- Упаковка / блок DO-204AH-2
- Pd - рассеивание мощности 0.5 W
- Допустимое отклонение напряжения 5 %
- Температурный коэффициент напряжения 0.083 %/C
- Зенеровский ток 25 mA
- Zz - полное сопротивление диода при лавинном пробое 17 Ohms
- Минимальная рабочая температура - 65 C
- Максимальная рабочая температура + 175 C
- Конфигурация Single
- Ток испытаний 7.8 mA
- Квалификация -
- Упаковка Cut Tape, Reel
- Серия -