1N5997B/TR
- ПроизводительMicrochip / Microsemit
Технические характеристики
- Vz - напряжение туннельного пробоя p-n-перехода 7.5 V
- Вид монтажа Through Hole
- Упаковка / блок DO-35-2
- Pd - рассеивание мощности 500 mW
- Допустимое отклонение напряжения 5 %
- Температурный коэффициент напряжения 0.051 %/C
- Зенеровский ток 67 mA
- Zz - полное сопротивление диода при лавинном пробое 7 Ohms
- Минимальная рабочая температура - 65 C
- Максимальная рабочая температура + 175 C
- Конфигурация Single
- Ток испытаний 5 mA
- Квалификация -
- Упаковка Cut Tape, Reel
- Серия -