1N6341US/TR
- ПроизводительMicrochip / Microsemit
Технические характеристики
- Vz - напряжение туннельного пробоя p-n-перехода 51 V
- Вид монтажа SMD/SMT
- Упаковка / блок B-SQ-MELF-2
- Pd - рассеивание мощности 0.5 W
- Допустимое отклонение напряжения 5 %
- Температурный коэффициент напряжения 0.096 %/C
- Зенеровский ток 8.3 mA
- Zz - полное сопротивление диода при лавинном пробое 85 Ohms
- Минимальная рабочая температура - 65 C
- Максимальная рабочая температура + 175 C
- Конфигурация Single
- Ток испытаний 2.5 mA
- Квалификация -
- Упаковка Reel
- Серия -