BZD27C12PHR3
- ПроизводительTaiwan Semiconductort
Технические характеристики
- Vz - напряжение туннельного пробоя p-n-перехода 12.05 V
- Вид монтажа SMD/SMT
- Упаковка / блок Sub-SMA-2
- Pd - рассеивание мощности 1 W
- Допустимое отклонение напряжения 6 %
- Температурный коэффициент напряжения 0.1 %/C
- Зенеровский ток 3 uA
- Zz - полное сопротивление диода при лавинном пробое 7 Ohms
- Минимальная рабочая температура - 55 C
- Максимальная рабочая температура + 175 C
- Конфигурация Single
- Ток испытаний 50 mA
- Квалификация AEC-Q101
- Упаковка Cut Tape, Reel
- Серия BZD27C