UZ8120
- ПроизводительMicrochip / Microsemit
Технические характеристики
- Vz - напряжение туннельного пробоя p-n-перехода 200 V
- Вид монтажа Through Hole
- Упаковка / блок -
- Pd - рассеивание мощности 1 W
- Допустимое отклонение напряжения 5 %
- Температурный коэффициент напряжения 0.1 %/C
- Зенеровский ток 0.5 uA
- Zz - полное сопротивление диода при лавинном пробое 1500 Ohms
- Минимальная рабочая температура - 65 C
- Максимальная рабочая температура + 175 C
- Конфигурация -
- Ток испытаний 1.2 mA
- Квалификация -
- Упаковка -
- Серия -