1N5913BUR-1
- ПроизводительMicrochip / Microsemit
Технические характеристики
- Vz - напряжение туннельного пробоя p-n-перехода 3.3 V
- Вид монтажа SMD/SMT
- Упаковка / блок DO-213AB-2
- Pd - рассеивание мощности 1.25 W
- Допустимое отклонение напряжения 5 %
- Температурный коэффициент напряжения -
- Зенеровский ток 100 uA
- Zz - полное сопротивление диода при лавинном пробое 10 Ohms
- Минимальная рабочая температура - 65 C
- Максимальная рабочая температура + 175 C
- Конфигурация Single
- Ток испытаний -
- Квалификация -
- Упаковка Foil Bag
- Серия -