1N957A
- ПроизводительMicrochip / Microsemit
Технические характеристики
- Vz - напряжение туннельного пробоя p-n-перехода 6.8 V
- Вид монтажа Through Hole
- Упаковка / блок DO-7
- Pd - рассеивание мощности 500 mW
- Допустимое отклонение напряжения 10 %
- Температурный коэффициент напряжения 0.05 %/C
- Зенеровский ток 150 uA
- Zz - полное сопротивление диода при лавинном пробое 4.5 Ohms
- Минимальная рабочая температура - 65 C
- Максимальная рабочая температура + 175 C
- Конфигурация Single
- Ток испытаний 18.5 mA
- Квалификация -
- Упаковка Foil Bag
- Серия -