1N5932BRNG
- ПроизводительON Semiconductort
- DatasheetСкачать
Технические характеристики
- Vz - напряжение туннельного пробоя p-n-перехода 21 V
- Вид монтажа Through Hole
- Упаковка / блок -
- Pd - рассеивание мощности 3 W
- Допустимое отклонение напряжения -
- Температурный коэффициент напряжения -
- Зенеровский ток 18.7 mA
- Zz - полное сопротивление диода при лавинном пробое 650 Ohms
- Минимальная рабочая температура -
- Максимальная рабочая температура + 200 C
- Конфигурация -
- Ток испытаний -
- Квалификация -
- Упаковка Ammo Pack
- Серия 1N59xxB