BZY55C13 RYG
- ПроизводительTaiwan Semiconductort
- DatasheetСкачать
Технические характеристики
- Vz - напряжение туннельного пробоя p-n-перехода 13 V
- Вид монтажа SMD/SMT
- Упаковка / блок 0805 (2012 metric)
- Pd - рассеивание мощности 500 mW
- Допустимое отклонение напряжения 5 %
- Температурный коэффициент напряжения -
- Зенеровский ток 0.1 uA
- Zz - полное сопротивление диода при лавинном пробое 26 Ohms
- Минимальная рабочая температура - 55 C
- Максимальная рабочая температура + 150 C
- Конфигурация Single
- Ток испытаний 5 mA
- Квалификация -
- Упаковка Reel
- Серия BZY55C