1N5916D
- ПроизводительMicrochip / Microsemit
Технические характеристики
- Vz - напряжение туннельного пробоя p-n-перехода 4.3 V
- Вид монтажа Through Hole
- Упаковка / блок DO-41-2
- Pd - рассеивание мощности 1.25 W
- Допустимое отклонение напряжения 1 %
- Температурный коэффициент напряжения -
- Зенеровский ток 348 mA
- Zz - полное сопротивление диода при лавинном пробое 6 Ohms
- Минимальная рабочая температура - 65 C
- Максимальная рабочая температура + 175 C
- Конфигурация Single
- Ток испытаний 87.2 mA
- Квалификация -
- Упаковка Foil Bag
- Серия -