1PMT4135E3/TR7
- ПроизводительMicrochip / Microsemit
Технические характеристики
- Vz - напряжение туннельного пробоя p-n-перехода 100 V
- Вид монтажа SMD/SMT
- Упаковка / блок DO-216-2
- Pd - рассеивание мощности 1 W
- Допустимое отклонение напряжения 5 %
- Температурный коэффициент напряжения 0.095 %/C
- Зенеровский ток 10 nA
- Zz - полное сопротивление диода при лавинном пробое 1.5 kOhms
- Минимальная рабочая температура - 55 C
- Максимальная рабочая температура + 150 C
- Конфигурация Single
- Ток испытаний 250 uA
- Квалификация -
- Упаковка Cut Tape, Reel
- Серия -