BZB784-C12,115
- ПроизводительNexperiat
Технические характеристики
- Vz - напряжение туннельного пробоя p-n-перехода 12.7 V
- Вид монтажа SMD/SMT
- Упаковка / блок SOT-323-3
- Pd - рассеивание мощности 350 mW
- Допустимое отклонение напряжения 5 %
- Температурный коэффициент напряжения 7.9 mV/K
- Зенеровский ток 100 nA
- Zz - полное сопротивление диода при лавинном пробое 25 Ohms
- Минимальная рабочая температура - 65 C
- Максимальная рабочая температура + 150 C
- Конфигурация Dual Cathode Common Anode
- Ток испытаний 5 mA
- Квалификация AEC-Q101
- Упаковка Cut Tape, MouseReel, Reel
- Серия BZB784