1N5917A
- ПроизводительMicrochip / Microsemit
Технические характеристики
- Vz - напряжение туннельного пробоя p-n-перехода 4.7 V
- Вид монтажа Through Hole
- Упаковка / блок DO-41-2
- Pd - рассеивание мощности 1.25 W
- Допустимое отклонение напряжения 10 %
- Температурный коэффициент напряжения -
- Зенеровский ток 319 mA
- Zz - полное сопротивление диода при лавинном пробое 5 Ohms
- Минимальная рабочая температура - 65 C
- Максимальная рабочая температура + 175 C
- Конфигурация Single
- Ток испытаний 79.8 mA
- Квалификация -
- Упаковка Foil Bag
- Серия -