1N5990UR-1/TR
- ПроизводительMicrochip / Microsemit
Технические характеристики
- Vz - напряжение туннельного пробоя p-n-перехода 3.9 V
- Вид монтажа SMD/SMT
- Упаковка / блок DO-213AA-2
- Pd - рассеивание мощности 500 mW
- Допустимое отклонение напряжения 20 %
- Температурный коэффициент напряжения 0.045 %/C
- Зенеровский ток 128 mA
- Zz - полное сопротивление диода при лавинном пробое -
- Минимальная рабочая температура - 65 C
- Максимальная рабочая температура + 175 C
- Конфигурация Single
- Ток испытаний 5 mA
- Квалификация -
- Упаковка Reel
- Серия -