BZD27B3V9P-HM3-18
- ПроизводительVishay Semiconductorst
- DatasheetСкачать
Технические характеристики
- Vz - напряжение туннельного пробоя p-n-перехода 3.9 V
- Вид монтажа SMD/SMT
- Упаковка / блок DO-219AB-2
- Pd - рассеивание мощности 2300 mW
- Допустимое отклонение напряжения -
- Температурный коэффициент напряжения - 0.04 %/C
- Зенеровский ток 100 mA
- Zz - полное сопротивление диода при лавинном пробое 4 Ohms
- Минимальная рабочая температура - 65 C
- Максимальная рабочая температура + 175 C
- Конфигурация Single
- Ток испытаний 100 mA
- Квалификация AEC-Q101
- Упаковка Reel
- Серия BZD27B-M