1PGSMB5926HM4G
- ПроизводительTaiwan Semiconductort
- DatasheetСкачать
Технические характеристики
- Vz - напряжение туннельного пробоя p-n-перехода 11 V
- Вид монтажа SMD/SMT
- Упаковка / блок SMB-2
- Pd - рассеивание мощности 3 W
- Допустимое отклонение напряжения 5 %
- Температурный коэффициент напряжения -
- Зенеровский ток 136 mA
- Zz - полное сопротивление диода при лавинном пробое 5.5 Ohms
- Минимальная рабочая температура - 55 C
- Максимальная рабочая температура + 175 C
- Конфигурация Single
- Ток испытаний 34.1 mA
- Квалификация AEC-Q101
- Упаковка -
- Серия 1PGSMB5926H