MSATS14S40LV
- ПроизводительMicrochip / Microsemit
- DatasheetСкачать
Технические характеристики
- Серия -
- Тип продукта TVS Diodes
- Vеср - напряжение электростатического разряда при контакте -
- Vеср - напряжение электростатического разряда при воздушном зазо-
- Полярность -
- Количество каналов 1 Channel
- Тип выводов SMD/SMT
- Напряжение пробоя 43 V
- Рабочее напряжение 36 V
- Напряжение фиксации 58 V
- Iпи - пиковый импульсный ток 250 A
- Cd - емкость диода -
- Упаковка / блок Thinkey 3
- Pppm - пиковое рассеивание мощности 14.5 kW
- Pd - рассеивание мощности -
- Минимальная рабочая температура - 65 C
- Максимальная рабочая температура + 175 C
- Квалификация -
- Упаковка Bulk