NE5517DG
- ПроизводительON Semiconductort
- DatasheetСкачать
Технические характеристики
- Серия NE5517
- Количество каналов 2 Channel
- GBP - Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропус2 MHz
- SR - скорость нарастания выходного напряжения 50 V/us
- Выходной ток на канал 650 uA
- Ib - Входной ток смещения 5 uA
- Vos - Входное напряжение смещения нуля 5 mV
- Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. 5400 uS
- Напряжение питания - макс. 44 V
- Напряжение питания - мин. 4 V
- Рабочий ток источника питания 2.6 mA
- Минимальная рабочая температура 0 C
- Максимальная рабочая температура + 70 C
- Вид монтажа SMD/SMT
- Упаковка / блок SOIC-16
- Упаковка Tube