VNS1NV04DPTR-E
- ПроизводительSTMicroelectronicst
Технические характеристики
- Продукт MOSFET Gate Drivers
- Тип Low Side
- Вид монтажа SMD/SMT
- Упаковка / блок SO-8
- Количество драйверов -
- Количество выходов -
- Выходной ток - 3 A
- Конфигурация Dual
- Время нарастания 500 ns
- Время спада 600 ns
- Напряжение питания - мин. -
- Напряжение питания - макс. -
- Задержка распространения - макс. -
- Рабочий ток источника питания 150 uA
- Pd - рассеивание мощности -
- Минимальная рабочая температура -
- Максимальная рабочая температура -
- Серия VNS1NV04DP-E
- Квалификация AEC-Q100
- Упаковка Cut Tape, MouseReel, Reel