4N25
Технические характеристики
  • Упаковка / блок DIP-6
  • Тип выхода NPN Phototransistor
  • Количество каналов 1 Channel
  • If - прямой ток 60 mA
  • Максимальное напряжение коллектор-эмиттер 70 V
  • Максимальный коллекторный ток 100 mA
  • Напряжение изоляции 5000 Vrms
  • Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер 0.5 V
  • Vf - прямое напряжение 1.5 V
  • Vr - обратное напряжение 5 V
  • Pd - рассеивание мощности 150 mW
  • Минимальная рабочая температура - 55 C
  • Максимальная рабочая температура + 100 C
  • Серия 4N2x
  • Упаковка Tube
Пролистать наверх