H11F3SM
- ПроизводительON Semiconductor / Fairchildt
Технические характеристики
- Упаковка / блок SMD-DIP-6
- Тип выхода Photo FET
- Количество каналов 1 Channel
- Напряжение изоляции 5300 Vrms
- If - прямой ток 16 mA
- Vf - прямое напряжение 1.75 V
- Vr - обратное напряжение 5 V
- Pd - рассеивание мощности 300 mW
- Минимальная рабочая температура - 40 C
- Максимальная рабочая температура + 100 C
- Серия H11F3M
- Упаковка Bulk