RPT-37PB3F
- ПроизводительROHM Semiconductort
- DatasheetСкачать
Технические характеристики
- Продукт -
- Упаковка / блок -
- Вид монтажа Through Hole
- Пиковая длина волны 800 nm
- Рабочее напряжение питания 5 V
- Максимальный ток коллектора во включенном состоянии 30 mA
- Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 32 V
- Напряжение пробоя коллектор-эмиттер -
- Напряжение насыщения коллектор-эмиттер -
- Темновой ток 500 nA
- Время нарастания 10 us
- Время спада 10 us
- Pd - рассеивание мощности 150 mW
- Минимальная рабочая температура - 25 C
- Максимальная рабочая температура + 85 C
- Серия RPT-37PB3F