OP506A
Технические характеристики
  • Продукт Phototransistors
  • Упаковка / блок T-1-2
  • Вид монтажа Through Hole
  • Пиковая длина волны 935 nm
  • Рабочее напряжение питания -
  • Максимальный ток коллектора во включенном состоянии -
  • Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 30 V
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер 30 V
  • Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 0.4 V
  • Темновой ток 100 nA
  • Время нарастания -
  • Время спада -
  • Pd - рассеивание мощности 100 mW
  • Минимальная рабочая температура - 40 C
  • Максимальная рабочая температура + 100 C
  • Серия -
Пролистать наверх